XPG GAMMIX S11 Pro. Capacità SSD: 1000 GB, Fattore di forma dell'unità SSD: M.2, Velocità di lettura: 3350 MB/s, Velocità di scrittura: 2800 MB/s, Componente per: PC
Altezza
6,1 mm
Tipo memoria
3D TLC
Certificati di sostenibilità
RoHS
Lettura casuale (4KB)
390000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Tecnologie specifiche del marchio
SLC Caching
Certificazione
CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
Versione di NVMe
1.3
Tempo medio tra guasti (MTBF)
2000000 h
Velocità di scrittura sequenziale (ATTO)
2800 MB/s
Fattore di forma dell'unità SSD
M.2
Componente per
PC
Intervallo di temperatura
-40 - 85 °C
Velocità di scrittura sequenziale (CDM)
3000 MB/s
Colore del prodotto
Nero, Rosso
Interfaccia
PCI Express 3.0
Data Integrity Check (verifica integrità dati)
Profondità
22 mm
Shock di funzionamento
1500 G
Velocità di scrittura sequenziale (AS SSD)
2500 MB/s
Velocità di scrittura
2800 MB/s
Low-density parity-check (LDPC)
Peso
11 g
NVMe
Scrittura casuale (4KB)
380000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Velocità di lettura sequenziale (ATTO)
3350 MB/s
Intervallo temperatura di funzionamento
0 - 70 °C
Linee dati dell'interfaccia PCI Express
x4
Classificazione per TBW
640
Velocità di lettura sequenziale (CDM)
3500 MB/s
Capacità SSD
1000 GB
Tipo di unità NAND
TLC (Triple Level Cell)
Larghezza
80 mm
Range di umidità di funzionamento
5 - 95%
Velocità di lettura sequenziale (AS SSD)
3000 MB/s
Velocità di lettura
3350 MB/s
Supporto RAID
Dettagli tecnici
Certificati di sostenibilità RoHS
Dimensioni e peso
Larghezza 80 mm
Profondità 22 mm
Altezza 6,1 mm
Peso 11 g
Condizioni ambientali
Intervallo temperatura di funzionamento 0 - 70 °C
Intervallo di temperatura -40 - 85 °C
Range di umidità di funzionamento 5 - 95%
Shock di funzionamento 1500 G
Caratteristiche speciali
Tecnologie specifiche del marchio SLC Caching
Altre caratteristiche
Colore del prodotto Nero, Rosso
Caratteristiche
Fattore di forma dell'unità SSD M.2
Capacità SSD 1000 GB
Interfaccia PCI Express 3.0
Tipo memoria 3D TLC
NVMe
Componente per PC
Tipo di unità NAND TLC (Triple Level Cell)
Versione di NVMe 1.3
Velocità di lettura 3350 MB/s
Velocità di scrittura 2800 MB/s
Lettura casuale (4KB) 390000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB) 380000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Velocità di lettura sequenziale (ATTO) 3350 MB/s
Velocità di scrittura sequenziale (ATTO) 2800 MB/s
Velocità di lettura sequenziale (CDM) 3500 MB/s
Velocità di scrittura sequenziale (CDM) 3000 MB/s
Velocità di lettura sequenziale (AS SSD) 3000 MB/s
Velocità di scrittura sequenziale (AS SSD) 2500 MB/s
Linee dati dell'interfaccia PCI Express x4
Supporto RAID
Data Integrity Check (verifica integrità dati)
Low-density parity-check (LDPC)
Tempo medio tra guasti (MTBF) 2000000 h
Classificazione per TBW 640
Certificazione CE, FCC, BSMI, VCCI, KC

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