Cos'è la 3D V-NAND e in che cosa si distingue dalla tecnologia esistente?
L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.
Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali.
Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale. **Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO).
Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position.
Abilita la modalita Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati;infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance . Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).
Durabilità e affidabilità garantite grazie alla tecnologia 3D V-NAND.
L'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW* rispetto alla generazione precedente 840 EVO** oltre a offrire una garanzia di 5 anni. Inoltre le prestazioni del 850 EVO risultano migliori del 30% rispetto al 840 EVO, quando il ssd è sottoposto a carichi di lavoro elevati, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili***. *TBW: byte totali scritti nel periodo di garanzia. **TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 / 1 TB). ***Prestazioni prolungate nel tempo (250 GB): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), prestazioni misurate dopo 12 ore di test di “Scrittura random”.
Aumenta la durata della batteria del tuo notebook grazie alla 3D V-NAND.
Il nuovo controller del 850 EVO supporta la modalità Sleep del tuo notebook permettendoti di lavorare o videogiocare più a lungo. L'850 EVO è ora più efficiente dal punto di vista energetico del 25% rispetto all'840 EVO grazie alla 3D V-NAND che consuma solo metà dell'energia rispetto a una NAND 2D planare. *Alimentazione (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).
- Tipo memoria
- MLC
- Capacità SSD
- 500 GB
- Colore del prodotto
- Nero
- Supporto TRIM
- Sì
- Consumo di energia (in scrittura)
- 0,1 W
- Velocità di lettura
- 540 MB/s
- Profondità
- 100 mm
- Intervallo di temperatura
- -40 - 85 °C
- Shock di non-funzionamento
- 1500 G
- Algoritmi di sicurezza supportati
- 256-bit AES
- Peso
- 55 g
- Umidità
- 5 - 95%
- Consumo energetico (inattivo)
- 0,045 W
- Lettura casuale (4KB)
- 98000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Interno
- Sì
- Fattore di forma dell'unità SSD
- 2.5"
- Supporto S.M.A.R.T.
- Sì
- Consumo di energia (in lettura)
- 0,1 W
- Interfaccia
- Serial ATA III
- Larghezza
- 69,8 mm
- Tempo medio tra guasti (MTBF)
- 1500000 h
- Vibrazione di non-funzionamento
- 20 G
- Velocità di scrittura
- 520 MB/s
- Altezza
- 6,8 mm
- Range di umidità di funzionamento
- 5 - 95%
- Dimensione del buffer HDD
- 512 MB
- Velocità di trasferimento dati
- 6 Gbit/s
- Intervallo temperatura di funzionamento
- 0 - 70 °C
- Shock di funzionamento
- 1500 G
- Sistema operativo Windows supportato
- Sì
- Scrittura casuale (4KB)
- 90000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Che cos'è la memoria V-NAND e come si differenzia dalla tecnologia esistente?
L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 64 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.

Il primo SSD da 2 TB al mondo
Il primo SSD da 2 TB per PC client: SSD 850 EVO 2 TB. Grazie alla tecnologia V-NAND puoi salvare dati e programmi in un unico drive e sfruttare una soluzione particolarmente utile per modificare e archiviare grandi quantità di file multimediali. In questo modo potrai contare su un'eccellente rapidità nell'accesso ai dati, nel caricamento dei programmi e del multitasking, ottimizzando la velocità globale di calcolo e la produttività. Prestazioni ottimizzate del PC grazie a un unico SSD di grandi dimensioni.* *Confrontato con un ambiente basato sulla combinazione di un'unità di archiviazione HDD e un'unità di avvio SSD.

Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite con velocità di lettura / scrittura senza rivali
Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850 EVO garantisce le migliori prestazioni della classe per la lettura sequenziale (540 MB/s) e la velocità di scrittura (520 MB/s), senza dimenticare le prestazioni random ottimizzate in tutte le QD per i casi d'uso di PC client. *PCmark7 (250 GB) : 6700 (840 EVO) > 7600 (850 EVO) **Random Write (QD32,120 GB) : 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO)

Durabilità e affidabilità garantite, supportate dalla tecnologia V-NAND
L'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW* rispetto alla generazione precedente 840 EVO** oltre a offrire una garanzia di 5 anni. Inoltre le prestazioni del 850 EVO risultano migliori del 30% rispetto al 840 EVO, quando il ssd è sottoposto a carichi di lavoro elevati, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili***. *TBW : Total Bytes Written. **TBW : 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB). ***Prestazione supportata (250 GB) : 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), prestazione misurata dopo 12 ore di test di “Scrittura random”

Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position
Abilita la modalità Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati; infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance. Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di DRAM (se il pc è dotato di 16 GB di DRAM). *Il miglioramento delle prestazioni può variare a seconda dell'hardware e della configurazione di sistema.

Aumenta la durata della batteria del tuo notebook grazie alla V-NAND
Il nuovo controller del 850 EVO supporta la modalità Sleep del tuo notebook permettendoti di lavorare o videogiocare più a lungo. L'850 EVO è ora più efficiente dal punto di vista energetico del 25% rispetto all'840 EVO grazie alla V-NAND che consuma solo metà dell'energia rispetto a una NAND 2D planare. *Alimentazione (250 GB) : 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO)

Sicurezza e protezione dei dati
La tecnologia di crittografia AES 256 mette al sicuro i dati senza ridurre il livello delle prestazioni ed è conforme a TCG Opal 2.0. Inoltre è compatibile con l'e-drive IEEE1667 Microsoft in modo che i dati siano sempre protetti.

Dynamic Thermal Guard
Tiene il tuo SSD al sicuro dal calore. Controlla la temperatura ottimale con una funzione che abbassa la temperatura dell'SSD, proteggendo i tuoi dati e garantendoti la velocità di elaborazione che ti aspetti.

Livello superiore
One-stop Install Navigator ti consente facilmente di migrare tutti i dati e le applicazioni dall'archiviazione primaria esistente all'850 EVO. Il software Magicial Samsung ti consente anche di ottimizzare e gestire il tuo sistema per il tuo SSD.

Sinergia dei componenti
Samsung è l'unico marchio a progettare e produrre tutti i componenti in-house consentendo la completa integrazione. Memoria cache DRAM LPDDR2 fino a 1 GB ed efficienza energetica migliorata grazie al controller MEX / MGX.

Dimensioni e peso | |
---|---|
Larghezza | 69,8 mm |
Profondità | 100 mm |
Altezza | 6,8 mm |
Peso | 55 g |
Gestione energetica | |
Consumo di energia (in lettura) | 0,1 W |
Consumo di energia (in scrittura) | 0,1 W |
Consumo energetico (inattivo) | 0,045 W |
Condizioni ambientali | |
Intervallo temperatura di funzionamento | 0 - 70 °C |
Intervallo di temperatura | -40 - 85 °C |
Range di umidità di funzionamento | 5 - 95% |
Umidità | 5 - 95% |
Vibrazione di non-funzionamento | 20 G |
Shock di funzionamento | 1500 G |
Shock di non-funzionamento | 1500 G |
Altre caratteristiche | |
Colore del prodotto | Nero |
Interno | Sì |
Caratteristiche | |
Fattore di forma dell'unità SSD | 2.5" |
Capacità SSD | 500 GB |
Interfaccia | Serial ATA III |
Tipo memoria | MLC |
Algoritmi di sicurezza supportati | 256-bit AES |
Velocità di trasferimento dati | 6 Gbit/s |
Velocità di lettura | 540 MB/s |
Velocità di scrittura | 520 MB/s |
Lettura casuale (4KB) | 98000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
Scrittura casuale (4KB) | 90000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
Dimensione del buffer HDD | 512 MB |
Supporto S.M.A.R.T. | Sì |
Supporto TRIM | Sì |
Tempo medio tra guasti (MTBF) | 1500000 h |
Sistema operativo Windows supportato | Sì |
Domanda (0)
Non ci sono domande dei clienti per il momento.
La tua domanda è stata inviata con successo il nostro team. Riceverai a breve una risposta
Fai una domanda
Riduci